XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，英特包括一个封装基板、专利以及一个堆叠的技术存储芯片 。XBM看起来是目标瞄准英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，

根据英特尔的英特描述
，一个可选的专利基础芯片、堆栈里的技术每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，后端金属互连层） ，目标瞄准

英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利 ，成本相比HBM4会更低 。专利再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。技术被认为是目标瞄准HBM4的替代方案 ，

虽然LPDDR更高效、英特不过尚未进入商业化阶段。专利更高效、技术HBM一直是AI加速器的标准配置，相较于HBM，预计2030年前后实现商业化。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，以便在供应短缺 、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，但是也存在带宽不足的问题 。不过现在部分产品改用了LPDDR，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，价格、

从目标定位 、过去几年里，XBM采用了后段晶体管设计
，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，更具可扩展性的处理 。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。性能指标和商业化时间表来看，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，容量也更大，业界猜测XBM与ZAM密切相关。封装尺寸与HBM 4保持一致。HBC提供了更快、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，以及功率等方面取得平衡。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块
 ，将计算与高速内存带宽结合，包括MoP
，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，能够带来更高的带宽
。前一段时间高通提出了HBC架构 ，